Как узнать ранговость памяти


Как узнать одноранговая или двухранговая память?

Опубликовано 17.05.2020 автор — 0 комментариев

Здравствуйте, дорогие постоянные читатели и те, кто попал сюда случайно! В сегодняшней публикации я расскажу, как узнать, одноранговая или двухранговая память стоит в компе, как это понять и отличить их.

О том, в чем разница одноранговой RAM от двухранговой и какая из них лучше, можно почитать в этой статье. Публикация будет очень короткой, так как способов не слишком много и все они простые.

Как определить ранг по маркировке

Многим планкам ОЗУ производитель присваивает артикул, где указан интересующий параметр: S (single) — одноранговая, D (dual) — двухранговая.

Например, маркировка модуля KVR21N15D 8/8 означает, что перед вами двухранговая RAM.

Как посмотреть ранг с помощью программы

Для этого можно воспользоваться одной из диагностических утилит:

  • Everest;
  • AIDA64;
  • Speccy;
  • CPU‑Z;
  • HWMonitor.

После запуска вам нужно найти раздел RAM или ОЗУ и посмотреть параметры модулей памяти. Интересующее нас значение указано в поле Rank.

Также советую почитать «Повышаем скорость HDD в Windows 10 и стоит ли это делать?» и «Где в системном блоке находится и располагается оперативная память?». Буду признателен всем, кто расшарит этот пост в любой соцсети. До следующей встречи!

С уважением, автор блога Андрей Андреев.

Про ранги и виртуализацию в RAM / Блог компании Сервер Молл / Хабр

В продолжение рубрики "конспект админа" хотелось бы разобраться в нюансах технологий ОЗУ современного железа: в регистровой памяти, рангах, банках памяти и прочем. Подробнее коснемся надежности хранения данных в памяти и тех технологий, которые несчетное число раз на дню избавляют администраторов от печалей BSOD.


Сегодня на рынке представлены, в основном, модули с памятью DDR SDRAM: DDR2, DDR3, DDR4. Разные поколения отличаются между собой рядом характеристик – в целом, каждое следующее поколение "быстрее, выше, сильнее", а для любознательных вот табличка:

Для подбора правильной памяти больший интерес представляют сами модули:


  • RDIMM — регистровая (буферизованная) память. Удобна для установки большого объема оперативной памяти по сравнению с небуферизованными модулями. Из минусов – более низкая производительность;


  • UDIMM (unregistered DRAM) — нерегистровая или небуферизованная память — это оперативная память, которая не содержит никаких буферов или регистров;


  • LRDIMM — эти модули обеспечивают более высокие скорости при большей емкости по сравнению с двухранговыми или четырехранговыми модулями RDIMM, за счёт использования дополнительных микросхем буфера памяти;


  • HDIMM (HyperCloud DIMM, HCDIMM) — модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы. Например, 4 физических ранга в таких модулях могут быть представлены для контроллера как 2 виртуальных;


  • FBDIMM — полностью буферизованная DIMM с высокой надежностью, скоростью и плотностью размещения.

Попытка одновременно использовать эти типы может вызвать самые разные печальные последствия, вплоть до порчи материнской платы или самой памяти. Но возможно использование одного типа модулей с разными характеристиками, так как они обратно совместимы по тактовой частоте. Правда, итоговая частота работы подсистемы памяти будет ограничена возможностями самого медленного модуля или контроллера памяти.

Для всех типов памяти SDRAM есть общий набор базовых характеристик, влияющий на объем и производительность:


Конечно, отличий на самом деле больше, но для сборки правильно работающей системы можно ограничиться этими.


Понятно, что чем выше частота — тем выше общая производительность памяти. Но память все равно не будет работать быстрее, чем ей позволяет контроллер на материнской плате. Кроме того, все современные модули умеют работать в в многоканальном режиме, который увеличивает общую производительность до четырех раз.

Режимы работы можно условно разделить на четыре группы:


  • Single Mode — одноканальный или ассиметричный. Включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга. Фактически, означает отсутствие многоканального доступа;


  • Dual Mode — двухканальный или симметричный. Слоты памяти группируются по каналам, в каждом из которых устанавливается одинаковый объем памяти. Это позволяет увеличить скорость работы на 5-10 % в играх, и до 70 % в тяжелых графических приложениях. Модули памяти необходимо устанавливать парами на разные каналы. Производители материнских плат обычно выделяют парные слоты одним цветом;


  • Triple Mode — трехканальный режим работы. Модули устанавливаются группами по три штуки — на каждый из трех каналов. Аналогично работают и последующие режимы: четырехканальные (quad-channel), восьмиканальные (8-channel memory) и т.п.


  • Flex Mode – позволяет увеличить производительность оперативной памяти при установке двух модулей различного объема, но с одинаковой частотой.

Для максимального быстродействия лучше устанавливать одинаковые модули с максимально возможной для системы частотой. При этом используйте установку парами или группами — в зависимости от доступного многоканального режима работы.


Ранг (rank) — область памяти из нескольких чипов памяти в 64 бита (72 бита при наличии ECC, о чем поговорим позже). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранга.


Узнать этот параметр можно из маркировки на модуле памяти. Например уKingston число рангов легко вычислить по одной из трех букв в середине маркировки: S (Single — одногоранговая), D (Dual — двухранговая), Q (Quad — четырехранговая).

Пример полной расшифровки маркировки на модулях Kingston:

Серверные материнские платы ограничены суммарным числом рангов памяти, с которыми могут работать. Например, если максимально может быть установлено восемь рангов при уже установленных четырех двухранговых модулях, то в свободные слоты память добавить не получится.

Перед покупкой модулей есть смысл уточнить, какие типы памяти поддерживает процессор сервера. Например, Xeon E5/E5 v2 поддерживают одно-, двух- и четырехранговые регистровые модули DIMM (RDIMM), LRDIMM и не буферизированные ECC DIMM (ECC UDIMM) DDR3. А процессоры Xeon E5 v3 поддерживают одно- и двухранговые регистровые модули DIMM, а также LRDIMM DDR4.


Тайминги или латентность памяти (CAS Latency, CL) — величина задержки в тактах от поступления команды до ее исполнения. Числа таймингов указывают параметры следующих операций:


  • CL (CAS Latency) – время, которое проходит между запросом процессора некоторых данных из памяти и моментом выдачи этих данных памятью;


  • tRCD (задержка от RAS до CAS) – время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS) до обращения к столбцу матрицы (CAS) с нужными данными;


  • tRP (RAS Precharge) – интервал от закрытия доступа к одной строке матрицы, и до начала доступа к другой;


  • tRAS – пауза для возврата памяти в состояние ожидания следующего запроса;


  • CMD (Command Rate) – время от активации чипа памяти до обращения к ней с первой командой.

Разумеется, чем меньше тайминги – тем лучше для скорости. Но за низкую латентность придется заплатить тактовой частотой: чем ниже тайминги, тем меньше допустимая для памяти тактовая частота. Поэтому правильным выбором будет "золотая середина".

Существуют и специальные более дорогие модули с пометкой "Low Latency", которые могут работать на более высокой частоте при низких таймингах. При расширении памяти желательно подбирать модули с таймингами, аналогичными уже установленным.


Ошибки при хранении данных в оперативной памяти неизбежны. Они классифицируются как аппаратные отказы и нерегулярные ошибки (сбои). Память с контролем четности способна обнаружить ошибку, но не способна ее исправить.

Для коррекции нерегулярных ошибок применяется ECC-память, которая содержит дополнительную микросхему для обнаружения и исправления ошибок в отдельных битах.

Метод коррекции ошибок работает следующим образом:


  1. При записи 64 бит данных в ячейку памяти происходит подсчет контрольной суммы, составляющей 8 бит.


  2. Когда процессор считывает данные, то выполняется расчет контрольной суммы полученных данных и сравнение с исходным значением. Если суммы не совпадают – это ошибка.


  3. Если ошибка однобитовая, то неправильный бит исправляется автоматически. Если двухбитовая – передается соответствующее сообщение для операционной системы.

Технология Advanced ECC способна исправлять многобитовые ошибки в одной микросхеме, и с ней возможно восстановление данных даже при отказе всего модуля DRAM.

Исправление ошибок нужно отдельно включить в BIOS

Большинство серверных модулей памяти являются регистровыми (буферизованными) – они содержат регистры контроля передачи данных.

Регистры также позволяют устанавливать большие объемы памяти, но из-за них образуются дополнительные задержки в работе. Дело в том, что каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память оказывается медленнее не регистровой на один такт.

Источник — nix.ru

Все регистровые модули и память с полной буферизацией также поддерживают ECC, а вот обратное не всегда справедливо. Из соображений надежности для сервера лучше использовать регистровую память.


Для правильной и быстрой работы нескольких процессоров, нужно каждому из них выделить свой банк памяти для доступа "напрямую". Об организации этих банков в конкретном сервере лучше почитать в документации, но общее правило такое: память распределяем между банками поровну и в каждый ставим модули одного типа.


Если пришлось поставить в сервер модули с меньшей частотой, чем требуется материнской плате – нужно включить в BIOS дополнительные циклы ожидания при работе процессора с памятью.

Для автоматического учета всех правил и рекомендаций по установке модулей можно использовать специальные утилиты от вендора. Например, у HP есть Online DDR4 (DDR3) Memory Configuration Tool.


Вместо пространственного заключения приведу общие рекомендации по выбору памяти:


  • Для многопроцессорных серверов HP рекомендуется использовать только регистровую память c функцией коррекции ошибок (ECC RDIMM), а для однопроцессорных — небуферизированную с ECC (UDIMM). Планки UDIMM для серверов HP лучше выбирать от этого же производителя, чтобы избежать самопроизвольных перезагрузок.


  • В случае с RDIMM лучше выбирать одно- и двухранговые модули (1rx4, 2rx4). Для оптимальной производительности используйте двухранговые модули памяти в конфигурациях 1 или 2 DIMM на канал. Создание конфигурации из 3 DIMM с установкой модулей в третий банк памяти значительно снижает производительность.


  • Из тех же соображений максимальной скорости желательно избегать использования четырехранговой памяти RDIMM, поскольку она снижает частоту до 1066 МГц в конфигурациях с одним модулем на канал, и до 800 МГц – в конфигурациях с двумя модулями на канал. Справедливо для серверов на базе Intel Xeon 5600 и Xeon E5/E5 v2.

Список короткий, но здесь все самое необходимое и наименее очевидное. Конечно же, старый как мир принцип RTFM никто не отменял.

Что такое ранг оперативной памяти? Rank памяти что это и зачем

Термин «ранг» создан организацией JEDEC, группой по разработке стандартов модулей памяти, с целью провести различие между количеством банков оперативной памяти в модуле и количеством банков памяти в комплектующих компьютера или микросхеме памяти. Понятие «ранг памяти» применимо ко всем форм-факторам модулей памяти, но в целом имеет важное значение в первую очередь для серверных платформ из-за больших объемов памяти, которыми они управляют.

Ранг памяти — это блок или область данных, которая создается с использованием нескольких или всех микросхем памяти в модуле. Ранг — это блок данных шириной 64 бита. В системах, которые поддерживают код коррекции ошибок (ECC), добавляются дополнительные 8 битов для создания блока данных шириной 72 бита. В зависимости от того, как спроектирован модуль памяти, он может иметь один, два или четыре блока областей данных шириной 64 бита (или шириной 72 бита для модулей ECC). Таким образом, память бывает одноранговая, двухранговая и четырехранговая. В маркировке модуля памяти Crucial присутствуют обозначения 1Rx4, 2Rx4, 2Rx8 или аналогичные.

Обозначения х4 и x8 указывают на количество банков в компоненте памяти или микросхеме. Именно это количество определяет ранг готового модуля, а не количество отдельных микросхем памяти на печатной плате (ПП). Другими словами, если модуль памяти имеет микросхемы на обеих сторонах ПП, он называется двухсторонним. При этом модуль может быть также одноранговым, двухранговым или четырехранговым, в зависимости от проектировки этих микросхем.

Поскольку ранг памяти составляет 64 или 72 бита, для модуля ECC, сделанного из микросхем x4, потребуется восемнадцать микросхем для одного однорангового модуля (18 x 4 = 72). Для модуля ECC, изготовленного из микросхем x8, необходимо только девять микросхем для ранга памяти (9 x 8 = 72). Модуль, изготовленный из восемнадцати микросхем x8, превращается в двухранговый модуль памяти (18 x 8 = 144, 144/72 = 2). Модуль ECC, который имеет вдвое больше микросхем x8, становится четырехранговым (36 x 8 = 288, 288/72 = 4). 

Наличие двух- или четырехрангового модуля представляет собой то же самое, что и объединение двух или четырех модулей DRAM в один модуль. Например, можно перейти от четырех одноранговых модулей RDIMM объемом 4 ГБ к одному четырехранговому модулю RDIMM объемом 16 ГБ (при условии, что система совместима с модулями RDIMM объемом 16 ГБ).

Недостаток модулей более высокого ранга состоит в том, что на серверах иногда устанавливается ограничение на количество рангов, к которым они могут обращаться. К примеру, сервер с четырьмя гнездами памяти может быть ограничен в общей сложности до восьми рангов. Это означает, что вы можете установить четыре одноранговых модуля или четыре двухранговых модуля, но при этом только два четырехранговых модуля, так как установка большего количества приведет к превышению количества рангов, к которым может обратиться сервер.

По вопросам рангов и их ограничений мы рекомендуем ознакомиться с документацией производителя для получения руководящих указаний и инструкций, которые будут применимы к вашей конкретной системе.  Дополнительная информация о рангах и системах представлена  здесь.

Одноранговая или двухранговая память для Ryzen

Тонкости использования оперативной памяти компьютера неспециалистам кажутся простыми и понятными. Главное — знать сколько же всего памяти в наличии. И чем больше этой памяти, тем вроде бы лучше. Но если немного изучить эту тему, всё делается не столь прозрачным. Порой необходимо пожертвовать объёмом памяти ради покупки более качественных модулей для увеличения производительности сервера или рабочей станции.

Сегодня мы разберёмся с такой малоизвестной характеристикой модулей оперативной памяти как ранг. Попытаемся понять одноранговая или двухранговая память для Ryzen подойдет лучше.

Содержание статьи:

Одноранговая или двухранговая память для Ryzen

1. Что такое ранги памяти

Давайте сначала разберемся чем отличается одноранговая память от двухранговой. Для того, чтобы понять смысл понятия рангов памяти, надо немного рассказать о стандарте оперативной памяти DDR SDRAM и его особенностях. Он пришёл на замену памяти SDRAM. В отличие от предшественника, новый стандарт позволил передавать информацию 2 раза за такт. Ширина шины памяти обычно составляет 64 бит (в отдельных случаях 72 бит при наличии коррекции ошибок). Ранги позволяют на одну физическую шину подключить 2, 4 и более банков памяти, кратно её разрядности. Благодаря этому на 1 физический канал приходятся 1, 2, 4 или более логических каналов на модуле памяти. Количество этих логических каналов на модуле и называется рангами памяти.

В идеальной ситуации такая организация модуля не должна приносить никакого выигрыша в производительности, но, благодаря некоторому сокращению задержек при передаче данных, зачастую получается небольшой выигрыш в производительности (с некоторыми особенностями). Именно вопрос улучшения производительности мы и попытаемся изучить в случае с разным количеством рангов памяти.

2. Тестовая платформа

Для тестового стенда использовались такие конфигурации:

Процессор: Ryzen 7 1700.

Материнские платы:

  • MSI X370 XPOWER GAMING TITANIUM with UEFI 1.26;
  • GIGABYTE GA-AX370-Gaming 5 with UEFI F5d;
  • ASUS ROG Crosshair VI Hero with UEFI 1001.

Оперативная память:

  • Corsair Vengeance LPX 64GB (4x16GB) DDR4 3600MHz C18 — двухранговая память;
  • Corsair Vengeance LPX 32GB (4x8GB) DDR4 4000MHz C19 — одноранговая память.

3. Результаты тестирования

Тестирование проводилось с помощью программы AIDA64. Проводились тесты чтения, записи в оперативную память, а также тест измерения задержек в работе оперативной памяти.

Ниже приводятся результаты тестов одноранговой памяти.

 

 

 

Одноранговая память в составе двух модулей при данных версиях BIOS смогла показать частоту 3200 МГц, при этом производительность существенно выросла. При полном комплекте из четырёх модулей память смогла с данными таймингами устойчиво работать на частоте 2666 МГц.

Далее представлены графики для двухранговой памяти.

Двухранговая память, как в составе двух модулей, так и в составе четырёх модулей, сумела достичь частоты 2666 МГц. Чтобы понять что лучше одноранговая или двухранговая память для Ryzen подведём итоги, основываясь на представленных выше графиках.

Анализ результатов тестов

Сравнив результаты тестов памяти на одинаковой частоте для процессоров Ryzen, можно заметить, что при выполнении операций чтения более производительным оказывается комплект из двухранговых модулей, при операциях записи незначительное преимущество аналогично на стороне двухранговых модулей (если вы используете комплект из двух модулей), а вот при замере времени отклика памяти более производительными оказываются одноранговые модули. Заметим, что свои коррективы вносит разница в объёме памяти используемых модулей и версия BIOS материнских плат.

Максимально возможную частоту позволяют достичь одноранговые модули, прирост производительности от увеличения частот оказывается более высоким, чем от наличия двух рангов в модуле памяти.

Выводы

Надеюсь теперь стало понятно что лучше одноранговая или двухранговая память ddr4 для Ryzen. В случае, когда вы хотите достичь прироста производительности за счёт максимальной частоты памяти, стоит присматриваться к одноранговым модулям с гарантированной производителем более высокой частотой (в сравнении с доступными по цене двухранговыми модулями). При этом стоит быть готовым к необходимости ручной настройки таймингов памяти на максимальных частотах. Также нужно учитывать, что для достижения максимальной производительности комплект из двух модулей предпочтителен по сравнению с комплектом из четырёх модулей.

Если же предстоит сделать выбор между одинаково высокоскоростными одноранговыми и двухранговыми модулями (а на данный момент существуют двухранговые модули, работающие на высоких частотах то выбор не столь однозначен. При выполнении некоторых задач двухранговые модули (в наборе 2 шт.) могут обеспечить некоторое превосходство в пределах 2-4% производительности по сравнению с одноранговыми модулями.

Хочется отметить также, что существуют модули, содержащие и большее количество рангов памяти на планке, но, судя по показаниям тестов, наращивание количества рангов более 2-х на модуль также не способствует повышению производительности.

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

Что такое rank или ранг у модулей памяти

Применительно к современным 64-битным модулям памяти это число означает количество наборов микросхем, разрядность каждого из которого составляет в сумме 64 бита(72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC), подключенных к управляющей линии Chip Select (выбор микросхемы).

    Объясняя очень грубо, двухранговый модуль - это два логических модуля, распаянных на одном физическом и пользующихся поочерёдно одним и тем же физическим каналом. Четырёхранговый - то же самое, но уже в четырёхкратном масштабе. Бывают даже восьмиранговые модули

    Зачем и кому это нужно. Исключительно в серверах и тяжелых рабочих станциях, для достижения максимального объёма оперативной памяти при ограниченном количестве слотов. При этом суммарное количество этих самых rank на канал также ограничено (иногда ограничение зависит от скорости), поэтому, при прочих равных условиях, двухранговый модуль выгоднее четырёхрангового, поскольку создаёт меньшую нагрузку на чипсет.

    Узнать этот параметр можно из документации на модуль памяти у производителя, например у Kingston чисто рангов легко вычислить по буквам одной из трёх букв в середине маркировки: S(Single - одногоранговая), D(Dual - двухранговая), Q (Quad - четырёхранговая).

    Например:

  • KVR1333D3LS4R9S/4GEC
  • KVR1333D3LD4R9S/8GEC
  • KVR1333D3LQ8R9S/8GEC

Остальные важные понятия:

CL
CAS Latency, CAS - это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память.
tRAS
Activate to Precharge Delay - минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти.
tRCD
RAS to CAS Delay - задержка между сигналами, определяющими адрес строки и адрес столбца.
tRP
Row Precharge Delay - параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS, т.е. время, через которое контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.
Буферизованная (Registered)
Наличие на модуле памяти специальных регистров (буфера), которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия. Модули памяти с регистрами имеют высокую стоимость и используются в основном в серверах. Следует иметь в виду, что буферизованная и небуферизованная память несовместимы, т.е. не могут одновременно использоваться в одной системе.
Количество контактов (от 144 до 244 )
Количество контактных площадок, расположенных на модуле памяти. Количество контактов в слоте для оперативной памяти на материнской плате должно совпадать с количеством контактов на модуле. Следует также иметь в виду, что помимо одинакового количества контактов должны совпадать и "ключи" (специальные вырезы на модуле, препятствующие неправильной установке).
Количество модулей в комплекте
Количество модулей памяти, продающихся в наборе. Помимо одиночных планок часто встречаются комплекты по два, четыре, шесть, восемь модулей с одинаковыми характеристиками, подобранных для работы в паре (двухканальном режиме). Использование двухканального режима приводит к значительному увеличению пропускной способности, а, следовательно, к увеличению скорости работы приложений. Следует отметить, что даже два модуля с одинаковыми характеристиками одного производителя, приобретенные по отдельности, могут не работать в двухканальном режиме, поэтому, если ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим работы памяти и для вас важна большая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить внимание именно на комплекты из нескольких модулей.
Количество ранков
Количество ранков модуля оперативной памяти. Ранк - область памяти, созданная несколькими или всеми чипами модуля памяти и имеющая ширину 64 бита (72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранка. Современные серверные материнские платы имеют ограничение на суммарное число ранков памяти, т.е., например, если максимально может быть установлено восемь ранков и поставлено четыре двухранковых модуля, то в свободные слоты уже нельзя установить дополнительные модули, т.к. это приведет к превышению лимита. По этой причине одноранковые модули имеют более высокую стоимость, чем двух- и четырехранковые.
Количество чипов каждого модуля (от 1 до 72 )
Количество чипов на одном модуле памяти. Микросхемы могут располагаться как с одной, так и с обеих сторон платы модуля.
Напряжение питания
Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение.
Низкопрофильная (Low Profile)
Модуль памяти, имеющий уменьшенную высоту по сравнению со стандартным размером, может быть установлен в серверных корпусах небольшой высоты.
Объем одного модуля (от 0.03125 до 32.0 Гб)
Объем памяти одного модуля.
Суммарный объем памяти системы рассчитывается путем сложения объемов памяти установленных модулей. Для работы в интернете и офисных программах достаточно 2 Гб. Для комфортной работы графических редакторов и современных игр необходимо минимум 4 Гб оперативной памяти.
Поддержка ECC
Поддержка Error Checking and Correction - алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм.
Пропускная способность
Пропускная способность модуля памяти - количество передаваемой или получаемой информации за одну секунду. Значение данного параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается умножением тактовой частоты на ширину шины. Чем выше пропускная способность, тем быстрее работает память и тем выше стоимость модуля (при совпадении остальных характеристик).
Радиатор
Наличие специальных металлических пластин, закрепленных на микросхемах памяти для улучшения теплоотдачи. Как правило, радиаторы устанавливают на модули памяти, рассчитанные на работу при высокой частоте.
Совместимость
Модели ПК или ноутбуков, для которых предназначен модуль памяти. Помимо модулей широкого применения некоторые производители выпускают память для определенных моделей компьютеров.
Тактовая частота
Максимальная частота системного генератора, по которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти типа DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенное значение тактовой частоты, т.к. за один такт производится две операции с данными. Чем выше тактовая частота, тем больше операций совершается в единицу времени, что позволяет более стабильно и быстро работать компьютерным играм и другим приложениям. При прочих одинаковых характеристиках память с более высокой тактовой частотой имеет более высокую стоимость.
Тип
Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) - синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте.
DDR2 SDRAM - поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты.
DDR3 SDRAM - следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию "удвоения частоты". Основные отличия от DDR2 - способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление.
В модулях DDR3 используются "ключи" (ориентирующие прорези), отличающиеся от "ключей" DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
DDR3L и LPDDR3 - стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 - 1.2 В. Для сравнения, у "обычных" модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) - синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка.
При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы - совместимость с различными модулями памяти.
Упаковка чипов
Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонней и односторонней упаковкой. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы.
Форм-фактор
Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор - это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) - на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) - модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.
Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) - более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.
RIMM - форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.
Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.

 

Как отличить одноранговую память от двухранговой

Если с двухканальной оперативной памятью все более-менее понятно (четное количество модулей работает быстрее нечетного), то термин «двухранговая память» знаком уже куда меньшему числу компьютерных энтузиастов. Более того, даже те немногие, кто знают о двухранговости, не могут однозначно ответить, хорошо это или плохо. И действительно, двухранговая память имеет как преимущества, так и недостатки. Что же из них сильнее перевешивает, давайте вместе разбираться.

Single Rank vs Dual Rank

Ранг памяти — это количество массивов из микросхем памяти разрядностью 64 бита каждый, распаянных на одном модуле памяти. Проще говоря, это два виртуальных модуля на одном физическом. Самыми распространенными являются одноранговые (Single Rank) и двухранговые планки памяти (Dual Rank), но изредка встречаются и четырехранговые (Quad Rank).

Нехотя напрашивается аналогия с физическими и виртуальными ядрами процессора — Intel Hyper-Threading и AMD SMT. Некое сходство действительно есть: одна двухранговая планка памяти быстрее одноранговой (Single Channel), но медленее двух одноранговых, работающих в двухканальном режиме (Dual Channel).

На данный момент преобладающее большинство модулей памяти DDR4 объемом 4 или 8 ГБ являются одноранговыми (распаяно четыре или восемь чипов по 1 ГБ), а объемом 16 ГБ — двухранговыми (шестнадцать чипов, то есть два массива). Впрочем, в продаже все еще можно встретить старые 8-гиговые двухранговые планки (16 чипов малой плотности 512 МБ).

А с появлением первых чипов повышенной плотностью 2 ГБ в продажу начали поступать одноранговые 16-гиговые (один массива из 8 чипов) и двухранговые 32-гиговые модули (16 чипов). Четырехранговые 32-гиговые планки (32 чипа, четыре массива) — совсем уж диковинка.

Проще говоря, если чипов на планке памяти до восьми штук включительно — она одноранговая, а если шестнадцать — двухранговая. С теорией более-менее разобрались, теперь же проведем практическое тестирование на примере парочки двухранговых 16-гиговых модулей Apacer DDR4 суммарным объемом 32 ГБ.

FOXTROT.UA 1800 грн. В магазин
Ktc.ua 1690 грн. В магазин
Fishki.ua 1819 грн. В магазин
It-sklad.com.ua 1804 грн. В магазин
Rozetka.ua 1690 грн. В магазин

Cравнить цены 7

Apacer DDR4 — серия бюджетной оперативной памяти для современных компьютерных платформ Intel LGA1151-v2 и AMD AM4. Текстолит моделей с частотой 2133 и 2400 МГц окрашен в олдскульный зеленый цвет, а 2666-МГц моделей — в уже более современный черный. На выбор доступны модели объемом 4, 8 и 16 ГБ. Первые два варианта — одноранговые, тогда как последний — двухранговый.

Готовых заводских наборов на два или четыре модуля не предусмотрено, только отдельные планки. Поэтому если планируете заняться оверклокингом, советуем покупать в одном магазине и в одно время. Чтобы уж наверняка попались чипы из одной партии с примерно одинаковым коэффициентом утечек тока и разгонным потенциалом.

Пожалуй, самыми интересными являются планки Apacer DDR4 объемом 16 ГБ и частотой 2666 МГц. Построены они на шестнадцати чипах Hynix A-die (по данным приложения Thaiphoon Burner), то есть являются двухранговыми. Парочка таких модулей позволяет собрать ПК на процессоре AMD Ryzen с высокой пропускной способностью подсистемы памяти — двухканальная и одновременно двухранговая.

Правда, большое количество чипов повышает нагрузку на встроенный в процессор контроллер памяти. Из-за этого частота памяти, которую можно выжать из памяти ручным разгоном, будет ниже, а тайминги (задержки) наоборот выше. Даже по умолчанию Apacer DDR4-2666 16 ГБ работает на таймингах CL19 вместо типичных для этой частоты CL17.

Но все же Apacer DDR4 подкупает едва ли не лучшим на рынке соотношением цены и объема. Быстрая память требуется для сравнительно узкого круга приложений, а вот много ОЗУ — для куда более широкого. А платить почти двойную сумму за оверклокерский кит 2х16ГБ, вроде Apacer Commando DDR4 EK.32GAT.GEAK2 , согласятся, пожалуй, лишь заядлые компьютерные энтузиасты.

Конфигурация тестового стенда

  • процессор — AMD Ryzen 3 Raven R > Цена от 2 125 до 3 577 грн. Сравнить цены и купить AMD Ryzen 3 Raven Ridge 2200G BOX ;
  • кулер — боксовый;
  • материнская плата — Biostar B450GT3 Ver. 6.x ;
  • оперативная память — Apacer DDR4-2666 2x16GB;
  • видеокарта — интегрированная;
  • твердотельный накопитель — Apacer AS2280P2 M.2 AP480GAS2280P2 480 ГБ Цена от 1 685 до 3 942 грн. Сравнить цены и купить Apacer AS2280P2 M.2 AP480GAS2280P2 480 ГБ ;
  • жесткий диск — Seagate BarraCuda Compute ST2000DM008 2 ТБ 256/7200 Цена от 1 530 до 2 444 грн. Сравнить цены и купить Seagate BarraCuda Compute ST2000DM008 2 ТБ 256/7200 ;
  • блок питания — Cougar CMX CMX850 Цена от 3 016 до 3 600 грн. Сравнить цены и купить Cougar CMX CMX850 ;
  • корпус — Cougar Turret RGB черный .

Результаты бенчмарков

Для сравнительного тестирования одноранговых и двухранговых модулей был нарочно выбран наиболее чувствительний к пропускной способности памяти процессор — Ryzen 3 2200G. В его случае шина памяти делится между четырьмя вычислительными ядрами Zen и встроенным графическим ускорителем Vega 8 с 512 микроядрами. Дополнительная дискретная видеокарта не использовалась.

Оверклокерских рекордов с двухранговой Apacer DDR4 установить ожидаемо не получилось — она разогналась с базовых 2666 лишь до 2933 МГц, что впрочем тоже неплохо. Из одноранговых модулей как правило можно выжать на сотню-две мегагерц больше. Впрочем, это ограничение может быть и по вине материнской платы Biostar B450GT3 с пока еще сыроватой прошивкой BIOS.

Тестирование проводилось в приложении AIDA64, а точнее встроенном в него бенчмарке памяти и кеша, а также в старенькой, но как раз хорошо подходящей для интегрированной видеокарты игре — Tomb Raider (2013) при разрешении FullHD и высоких настройках графики. В нее тоже встроен бенчмарк, раз за разом прогоняющий одну и ту же демо-сцену, что минимизирует погрешность замеров частоты кадров.

Так, скорость чтения, записи и копирования двургановой памяти Apacer DDR4 2666 МГц в бенчмарке AIDA64 оказалась примерно на 7 процентов больше, чем у одноранговой памяти с аналогичной частотой. Ручной разгон до 2933 МГц прибавил еще около 5 процентов быстродействия. На эти же 5 процентов у двухранговой памяти ниже латентность, то есть задержки, измеряемые в наносекундах.

Фреймрейт в игре Tomb Raider в случае двухранговой памяти был пусть немного, всего на 2 кадр/с, но стабильно выше одноранговой. Еще парочку кадров в секунду прибавил оверклокинг памяти. Больше бесплатных FPS можно получить, разогнав по ядру интегрированную видеокарту Vega 8. Но для этого желателен хотя бы небольшой башенный кулер, тогда как мы, ради чистоты эксперимента, проводили тестировании на боксовом.

Выводы

Как показало тестирование, двухранговые модули ОЗУ (с двумя виртуальными каналами памяти) однозначно быстрее одноранговых при равной частоте — выигрыш составляет от 5 до 7 процентов. Цифры, вроде, и небольшие, но получить прирост быстродействия памяти всегда труднее, чем любого другого компонента ПК. Если лень заморачиваться с оверклокингом, то покупка двухранговых модулей — самый простой и эффективный способ ускорить подсистему памяти ПК. А в случае процессоров с мощной интегрированной графикой (AMD Vega и Intel Gen11), двухранговая память прямо-таки обязательна к покупке.

Как одноранговая, двухранговая и четырёранговая память отражается на работе Ryzen Threadripper? Как только AMD представила новую и восхитительную линейку процессоров Ryzen , н ачалось много разговоров о совместимости памяти с этими процессорами .

Процессоры Intel работают почти с любой ОЗУ, а вот Ryzen и Threadripper, XMP, частота памяти, задержки, Infinty Fabric, о дноранговая, двухранговая и четырёранговая память и другие слова запутывают некоторых пользователей, особенно при сборке нового ПК для 3 D рендера, монтажа и для других дизайнерских нужд.

В этой статье мы проанализируем работу процессоров Thredripper , чтобы понять, как их максимально оптимизировать; Начнём с того, как память разных рангов влияет на Ryzen Threadripper.

Вот что Википедия говорит о многоранговом режиме оперативной памяти:

В области цифровой электроники и компьютерного оборудования, много канальная архитектура памяти — это технология, которая увеличивает скорость передачи данных между ОЗУ и контроллером памяти, добавляя больше каналов связи между ними. Теоретически это умножает скорость передачи данных на число имеющихся рангов .

Ч етырёхканальный режим памяти, который доступен при наличии четырёх планок ОЗУ, в системе с Threadripper должен увеличить скорость передачи данных между оперативной памятью и контроллером в четыре раза ! Звучит довольно хорошо!

Давайте посмотрим что лучше одноранговая или двухранговая память для Ryzen и как тип памяти влияет на результаты некоторых наших самых популярных бенчмарков.

Одноранговая или двухранговая память для Ryzen

  • Процессор: AMD Threadripper 1900X в стоке;
  • ОЗУ: Corsair Vengeance LPX DIMM Kit 64GB, DDR4-2666, CL16-18-18-35;
  • Материнская плата: MSI Gaming Pro Carbon AC X399;
  • Видеокарты: 4x 1080Ti Asus Turbo;
  • SSD: 860EVO 500GB;
  • ОС: Win10.

1. Cinebench R15

В Cinebench R15 наблюдается небольшое увеличение производительности при переходе между одно ранговой, двух ранговой и четырех ранговой памят ью . Прирост о коло 1%, но его можно заметить каждый раз во время теста.

Эти тесты были выполнены 5 раз, средний результат показан на картинке .

2. Cinebench R20

Не похоже, чтобы в Cinebench R20 была какая-нибудь разница между четырёх- и одноранговой памятью. В этом тесте получались очень разные результаты, поэтому сложно было вывести что-то среднее. Результаты в пределах одного теста могли отличаться на +/- 100 баллов.

3. VRAY CPU Benchmark

Поскольку тест производительности процессора VRAY выдаёт разницу всего в 1 секунду, трудно понять, есть ли какая-либо разница между одно-, двух- и четырех ранговой памятью. Всё же результаты были постоянными на протяжении многих тестов, никогда особо не отклоняясь от 1:17/ 1:18 минут.

4. Redshift и Octane

Redshift и Octane — это тест ы для видеокарт , но они все же эффективно используют ресурсы процессора и многоканальный режим ОЗУ может повлиять на результат .

Тем не менее, после нескольких тестов, результат таков: р азличия во времени тестов находятся в пределах погрешности.

Заключение

Наше тестирование одноранговая или двухранговая память ddr4 для ryzen завершено. Единственный тест, в котором был постоянный прирост в производительности от многоранговой памяти — это Cinebench R15. Четырёхранговая память даёт 1.2% прироста над одноранговой. Кажется, что вс е бенчмарки не очень требовательны к памяти из-за того, что сцены в них очень просты и нет смысла обращаться к большим объемам памяти во время рендеринга.

Вполне может случиться так, что вы заметите несколько большее повышение производительности с четырёхранговой памятью на платформе Threadripper, в зависимости от задач и свойств ваших проектов.

Применительно к современным 64-битным модулям памяти это число означает количество наборов микросхем, разрядность каждого из которого составляет в сумме 64 бита(72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC), подключенных к управляющей линии Chip Select (выбор микросхемы).

Объясняя очень грубо, двухранговый модуль – это два логических модуля, распаянных на одном физическом и пользующихся поочерёдно одним и тем же физическим каналом. Четырёхранговый – то же самое, но уже в четырёхкратном масштабе. Бывают даже восьмиранговые модули

Зачем и кому это нужно. Исключительно в серверах и тяжелых рабочих станциях, для достижения максимального объёма оперативной памяти при ограниченном количестве слотов. При этом суммарное количество этих самых rank на канал также ограничено (иногда ограничение зависит от скорости), поэтому, при прочих равных условиях, двухранговый модуль выгоднее четырёхрангового, поскольку создаёт меньшую нагрузку на чипсет.

Узнать этот параметр можно из документации на модуль памяти у производителя, например у Kingston чисто рангов легко вычислить по буквам одной из трёх букв в середине маркировки: S(Single – одногоранговая), D(Dual – двухранговая), Q (Quad – четырёхранговая).

Остальные важные понятия:

CL CAS Latency, CAS – это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память. tRAS Activate to Precharge Delay – минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти. tRCD RAS to CAS Delay – задержка между сигналами, определяющими адрес строки и адрес столбца. tRP Row Precharge Delay – параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS, т.е. время, через которое контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки. Буферизованная (Registered) Наличие на модуле памяти специальных регистров (буфера), которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия. Модули памяти с регистрами имеют высокую стоимость и используются в основном в серверах. Следует иметь в виду, что буферизованная и небуферизованная память несовместимы, т.е. не могут одновременно использоваться в одной системе. Количество контактов (от 144 до 244 ) Количество контактных площадок, расположенных на модуле памяти. Количество контактов в слоте для оперативной памяти на материнской плате должно совпадать с количеством контактов на модуле. Следует также иметь в виду, что помимо одинакового количества контактов должны совпадать и "ключи" (специальные вырезы на модуле, препятствующие неправильной установке). Количество модулей в комплекте Количество модулей памяти, продающихся в наборе. Помимо одиночных планок часто встречаются комплекты по два, четыре, шесть, восемь модулей с одинаковыми характеристиками, подобранных для работы в паре (двухканальном режиме). Использование двухканального режима приводит к значительному увеличению пропускной способности, а, следовательно, к увеличению скорости работы приложений. Следует отметить, что даже два модуля с одинаковыми характеристиками одного производителя, приобретенные по отдельности, могут не работать в двухканальном режиме, поэтому, если ваша материнская плата поддерживает двухканальный режим работы памяти и для вас важна большая скорость работы игровых и графических приложений, следует обратить внимание именно на комплекты из нескольких модулей. Количество ранков Количество ранков модуля оперативной памяти. Ранк – область памяти, созданная несколькими или всеми чипами модуля памяти и имеющая ширину 64 бита (72 бита, если есть поддержка ECC, см. Поддержка ECC). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранка. Современные серверные материнские платы имеют ограничение на суммарное число ранков памяти, т.е., например, если максимально может быть установлено восемь ранков и поставлено четыре двухранковых модуля, то в свободные слоты уже нельзя установить дополнительные модули, т.к. это приведет к превышению лимита. По этой причине одноранковые модули имеют более высокую стоимость, чем двух- и четырехранковые. Количество чипов каждого модуля (от 1 до 72 ) Количество чипов на одном модуле памяти. Микросхемы могут располагаться как с одной, так и с обеих сторон платы модуля. Напряжение питания Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение. Низкопрофильная (Low Profile) Модуль памяти, имеющий уменьшенную высоту по сравнению со стандартным размером, может быть установлен в серверных корпусах небольшой высоты. Объем одного модуля (от 0.03125 до 32.0 Гб) Объем памяти одного модуля.
Суммарный объем памяти системы рассчитывается путем сложения объемов памяти установленных модулей. Для работы в интернете и офисных программах достаточно 2 Гб. Для комфортной работы графических редакторов и современных игр необходимо минимум 4 Гб оперативной памяти. Поддержка ECC Поддержка Error Checking and Correction – алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм. Пропускная способность Пропускная способность модуля памяти – количество передаваемой или получаемой информации за одну секунду. Значение данного параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается умножением тактовой частоты на ширину шины. Чем выше пропускная способность, тем быстрее работает память и тем выше стоимость модуля (при совпадении остальных характеристик). Радиатор Наличие специальных металлических пластин, закрепленных на микросхемах памяти для улучшения теплоотдачи. Как правило, радиаторы устанавливают на модули памяти, рассчитанные на работу при высокой частоте. Совместимость Модели ПК или ноутбуков, для которых предназначен модуль памяти. Помимо модулей широкого применения некоторые производители выпускают память для определенных моделей компьютеров. Тактовая частота Максимальная частота системного генератора, по которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти типа DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенное значение тактовой частоты, т.к. за один такт производится две операции с данными. Чем выше тактовая частота, тем больше операций совершается в единицу времени, что позволяет более стабильно и быстро работать компьютерным играм и другим приложениям. При прочих одинаковых характеристиках память с более высокой тактовой частотой имеет более высокую стоимость. Тип Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) – синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) – синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте.
DDR2 SDRAM – поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты.
DDR3 SDRAM – следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию "удвоения частоты". Основные отличия от DDR2 – способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление.
В модулях DDR3 используются "ключи" (ориентирующие прорези), отличающиеся от "ключей" DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
DDR3L и LPDDR3 – стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 – 1.2 В. Для сравнения, у "обычных" модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) – синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка.
При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы – совместимость с различными модулями памяти. Упаковка чипов Тип расположения чипов на модуле памяти. Существуют модули с двусторонней и односторонней упаковкой. При расположении микросхем с двух сторон модули имеют большую толщину и физически не могут быть установлены в некоторые системы. Форм-фактор Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор – это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) – на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) – модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.
Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) – более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) – еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.
RIMM – форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.
Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.

Как выбрать правильную память: Руководство по ОЗУ 2020 - Tom's Hardware

Объем и характеристики вашей системной памяти или ОЗУ могут иметь существенное значение, от количества запущенных программ (или просто открытых вкладок браузера), которые вы можете открыть до того, как ваша система начнет замедляться, до количества кадров на во-вторых (кадров в секунду) вы можете выжать из встроенной графики вашего процессора, играя в последнюю популярную киберспортивную игру.

Если вы покупаете память для новой сборки или обновления существующего ноутбука или настольного компьютера и не знаете, нужны ли вам 8, 16 или 32 ГБ (или больше), насколько важна тактовая частота, или что на самом деле означают тайминги памяти, вы попали в нужное место.Мы поможем вам решить множество вопросов, которые следует учитывать при покупке оперативной памяти.

В первую очередь мы сосредоточимся на памяти настольных ПК, хотя многие советы и технические детали также относятся и к портативным компьютерам. Для ноутбуков вам просто нужно будет купить комплект SO-DIMM (небольшие модули памяти с двумя линиями подключения), а не более длинные DIMM (модули памяти с двумя линиями), которые используются в традиционных современных настольных компьютерах. Память многих современных тонких ноутбуков также припаяна к материнской плате.Поэтому не забудьте проверить свое руководство, прежде чем принимать решение о покупке.

Если вы не уверены, сколько именно памяти вам нужно, краткий ответ: с учетом распространенных рабочих нагрузок и сегодняшних цен, 16 ГБ - лучший вариант. Создатели контента и энтузиасты, активно использующие многозадачность, могут захотеть рассмотреть больше. Вы можете глубже изучить вопрос об объеме памяти в нашей функции «Сколько памяти вам нужно».

Для получения подробной информации о номинальной тактовой частоте (измеряется в МГц) и тайминге (указанном в виде ряда чисел, например, 15-15-15-36), вы можете проверить наш учебник по частоте и таймингу, где мы также посмотрим, как это число рангов (или банков памяти на данной карте памяти или наборе памяти) может существенно повлиять на реальную производительность.Мы также подробно расскажем о многих из этих и других деталей ниже. Но сначала вот несколько основных советов по покупкам, если вы уже находитесь в магазине и пытаетесь решить, что купить.

  • 16 ГБ - это оптимальное место по сегодняшним ценам. Геймеры и те, кто выполняет основные задачи по продуктивности, могут обойтись 8 ГБ. Но несколько открытых вкладок браузера и других запущенных программ могут использовать это довольно легко. Учитывая, что вы можете купить 16 ГБ всего за 25 долларов больше, чем 8 ГБ, большинству следует выбрать 16 ГБ.Те, кто занимается серьезным созданием контента, вероятно, захотят большего.
  • Не платите за тактовые частоты, которые ваша система не поддерживает. Скорость памяти ограничена, особенно с некоторыми процессорами и наборами микросхем Intel начального и среднего уровня. Так что если, например, ваша система поддерживает только 2666 МГц, нет смысла покупать оперативную память, рассчитанную на 3600. Вы не сможете достичь более высокой скорости и можете застрять на еще более низкой резервной скорости. Проверьте спецификации производителя материнской платы на предмет поддерживаемых скоростей и купите соответственно.
  • Более высокие скорости наиболее эффективны, если вы используете встроенную графику. Если вы планируете играть без выделенной видеокарты, вы получите заметно более высокую частоту кадров, если выберете более быструю (поддерживаемую) память. Но если вам нужно больше тратить на компоненты для поддержки этой скорости, а также на память с более высокой тактовой частотой, возможно, имеет смысл потратиться на выделенную карту, которая обеспечит лучшую игровую производительность в целом.
  • Многие программы и игры не сильно выигрывают от более быстрой оперативной памяти и лучшего тайминга. Количество программного обеспечения, которое ощутимо выигрывает от более быстрых комплектов памяти с меньшим временем задержки, на самом деле довольно невелико. Некоторые игры увидят преимущество, а также программное обеспечение для сжатия, такое как 7-zip, а также некоторые аспекты программного обеспечения для создания контента. Изучите программы и игры, которыми вы пользуетесь чаще всего. Если у вас нет программного обеспечения, чувствительного к памяти, и у вас есть специальная видеокарта, вы можете сэкономить деньги, выбрав более медленную оперативную память и потратив ее на более крупный твердотельный накопитель, видеокарту или процессор лучшего качества.
  • Теплораспределители и фары предназначены только для галочки. Вообще говоря, большая часть памяти не работает достаточно быстро (если, возможно, вы не доводите ее до экстремальных уровней с помощью ручного разгона), чтобы требовать металлических теплораспределителей. Пока воздух проходит через корпус и память, вы можете выбрать голые палки. Очевидно, что мигание огней тоже не повлияет на вашу производительность. Так что, если в вашем корпусе нет окна или вам не очень важно, как выглядит ваша память, нет причин не выбирать палки с открытыми печатными платами и банками памяти - если речь идет о скорости и характеристиках. ты после.

XMP vs SPD

Технология, которая предоставляет материнской плате правильную частоту и тайминги, называется Serial Presence Detect (SPD), и часть, которую она обнаруживает, представляет собой крошечный чип ROM (постоянная память), который был запрограммирован с таймингом. Таблица. Стандартные для отрасли сроки определяются Объединенным советом по проектированию электронных устройств (JEDEC), отраслевой организацией, в которую входят компании, начиная от контроллеров памяти и ЦП и заканчивая производителями и сборщиками микросхем DRAM.Список одобренных режимов DDR4 часто обновляется в Википедии. И, по большей части, соответствующие тайминги для стандартных скоростей передачи данных ужасны, а дополнительные «лучшие» версии редко выпускаются.

Как объясняется в разделе «Как включить XMP», «Экстремальные профили памяти» Intel добавляют к памяти таблицу разгона, иногда доводящуюся до такой степени, что некоторые из самых быстрых модулей DIMM DDR4-4266 содержат микросхемы DDR4-2133. Если ваша материнская плата поддерживает XMP, вы обычно можете получить комплект с умеренной скоростью передачи данных и более жесткими, чем стандартные, задержками, например DDR4-3200 CAS 14.Проблема для тех, чьи материнские платы не поддерживают XMP, заключается в том, что в этих наборах обычно по умолчанию DDR4-2133 CAS 15 .

Каждый текущий комплект с расширенными таймингами требует, чтобы XMP автоматически настраивал эти тайминги, и ссылка в Википедии, указанная выше, должна помочь вам выяснить, являются ли эти тайминги стандартными или XMP. Те, кто решил не рисковать, могут захотеть проверить скриншоты CPU-Z из наших обзоров памяти и выбрать один из этих наборов.

Сколько модулей?

Вам понадобятся как минимум два модуля для включения двухканального режима на таких платформах, как AMD Socket AM4 или Intel LGA 1151, или четыре для включения четырехканальных режимов сокета AMD TR4 и LGA 2066 от Intel.Эти модули могут быть одноранговыми (со всеми ИС, адресованными одним из двойных 64-битных интерфейсов каждого модуля) или двухранговыми (адресованными обоими интерфейсами).

После отслеживания аналогичного явления на процессорах Intel в течение нескольких лет в нашем подробном обзоре памяти Ryzen 3000 было подробно описано, как наличие двух уровней памяти на канал обеспечивает значительный выигрыш в производительности для некоторых приложений. Мы также знаем из нашей статьи «Память ПК 101», что двух рангов на канал можно достичь, удвоив количество модулей или используя модули с двумя рангами.Причины для выбора последнего включают в себя оставление места для расширения в пустых слотах плат, по два на канал, или получение преимущества двух рангов от плат, у которых есть только один слот на канал. Кроме того, хотя вы, возможно, читали о топографии T и гирляндной цепи в наших комментариях или на форуме, вам не нужно беспокоиться об этих концепциях, если вы используете только один модуль DIMM на канал.

Итак, для лучшей производительности выберите два модуля для двухканальной платы или четыре для четырехканальной платы.Те, кто может позволить себе модули с вдвое большим количеством микросхем, выиграют как от дополнительной емкости, так и от небольшого повышения производительности в определенных приложениях. Недавнее повторное внедрение модулей DIMM для настольных ПК объемом 32 ГБ означает, что вы можете получить 64 ГБ всего из двух модулей или 128 ГБ из четырех, не беспокоясь о том, поддерживает ли ваша системная плата более дорогую серверную память. Тем не менее, вы все равно захотите посетить сайт производителя материнской платы, чтобы убедиться, что ваша прошивка поддерживает любую емкость, которую вы используете.Возможно, вам сначала потребуется обновить BIOS.

DDR4-2666 для наборов микросхем Intel серии H / B

Intel не допускает разгон чего-либо, кроме чипсетов серии Z (для энтузиастов) и серии X (для настольных ПК высокого класса). Это оставляет массовых покупателей, которые не хотят тратить деньги на другие функции серии Z, застрявшие в «одобренных» Intel лимитах, включая максимальное значение DDR4-2666 для процессоров Core i5 и выше.

Мы рассмотрели несколько таких плат и заметили, что большинство розничных запчастей включают Intel XMP.Несмотря на то, что это не влияет на максимальную скорость памяти, это позволяет одним щелчком мыши настроить DDR4-2666 с меньшей задержкой. К сожалению, рынок DDR4-2666 с малой задержкой настолько мал, что наборы CAS 12 и CAS 13 больше не производятся. Тайминги CAS 15 кажутся самыми быстрыми из доступных в настоящее время деталей.

DDR4-2400 для Intel Core i3 и ниже

Процессоры Intel младшего класса имеют те же ограничения на набор микросхем, что мы упоминали в предыдущем абзаце, но с еще более низкой скоростью передачи данных DDR4-2400.Рынок высокопроизводительной памяти с такой скоростью передачи данных настолько мал, что самая низкая задержка, которую мы можем найти среди текущих продуктов, - это CAS 14.

DDR4-2933 - средство решения проблем

Прелесть DDR4-2933 в том, что она работает на целое соотношение, 11x133,333, что оказывается ниже, чем соотношение 15x100, которое использует DDR4-3000. Мы видели несколько плат, которые не были бы выше этой, в том числе отмеченная наградами X470GT8 от Biostar. Поскольку это работало так хорошо, память с такой скоростью передачи данных была широко доступна в CAS 15.

Но затем поползли слухи, что DDR4-3000 - лучшее место для процессоров Ryzen серии 2000, и производители быстро начали программировать эти модули для DDR4-3000, чтобы удовлетворить новый спрос. Остается ограниченное количество комплектов DDR4-2933 CAS 16 с завышенной ценой, хотя пользователи, которые не боятся экспериментировать, всегда могут вернуть свои более дешевые комплекты DDR4-3000 CAS 15 к DDR4-2933, если более высокая скорость передачи данных нестабильна.

Ограничения Ryzen

По умолчанию контроллер памяти материнских плат X570 переключается на половинную скорость, а интерфейс Infinity Fabric - на несинхронизированное соотношение при превышении скорости DDR4-3600, что приводит к падению производительности при использовании DDR4-3733 или выше.Многие конечные пользователи сообщают об ограничениях между DDR4-3733 и DDR4-3866 после отключения этих средств защиты стабильности, но это небольшое увеличение скорости передачи данных, вероятно, не стоит ваших усилий, если вы просто не хотите достичь более высоких скоростей, чтобы похвастаться.

В наших руководствах по системным платам подробно описаны частотные возможности по крайней мере одной конфигурации для каждой протестированной платы, но мы не можем протестировать все. Чтобы быстро взглянуть на текущую ситуацию с памятью, вот диаграмма доступных на данный момент емкостей и типов комплектов оперативной памяти, а также типов систем, для которых они работают лучше всего.Соотношение цен основано на самом дешевом комплекте в каждой конфигурации.

Рейтинг производительности, от лучшего к худшему

901 03
Конфигурация Соотношение цен Примечания
Четырехранговый двухканальный
2x 16 ГБ DDR4-3733 (CAS 17) 215% Работает с большинством материнских плат Z390 и Z370. Поддерживается X570 / Ryzen 3000, но для повышения производительности требуется ручная настройка параметров FCLK и UCLK.
2x 16 ГБ DDR4-3600 (CAS 16) 185% Более широкая совместимость и более низкая цена для Z390 / Z370, более простая конфигурация, чем DDR4-3733 на платформах X570
2x 16GB DDR4-3600 (CAS 18 ) 154% Более выгодная цена и даже более широкая совместимость, чем DDR4-3600 C16
2x 16 ГБ DDR4-3466 (CAS 16) 185% Лучшая совместимость с материнскими платами X470 / Ryzen 2000 и Z270. Ограниченная доступность.
2x 16 ГБ DDR4-3200 (CAS 14) 185% Более высокая цена, улучшенная производительность DDR4-3200
2x 16 ГБ DDR4-3200 (CAS 16) 115% Лучшая совместимость и стоимость комплектов с высокой скоростью передачи данных
2x 16 ГБ DDR4-2933 (CAS 16) 138% Устраняет проблемы совместимости с ошибочной прошивкой некоторых материнских плат X470 / B450. Ограниченная доступность.
2x 16 ГБ DDR4-2666 (CAS 15) 115% Максимальная производительность для Core i5 и выше на материнских платах h470 / B360
2x 16 ГБ DDR4-2400 (CAS 14) 108% Максимальная производительность для Core i3 и ниже на материнских платах h470 / B360
2x 16 ГБ DDR4-2666 (CAS 19) 100% Совместимость с Core i5 и выше на материнских платах h470 / B360, которые не поддерживают XMP
2x 16 ГБ DDR4-2400 (CAS 17) 100% Совместимость с Core i3 и ниже на материнских платах h470 / B360, которые не поддерживают XMP
четырехканальный восьмиранговый
4x 16 ГБ DDR4-3600 (CAS 16) 214% Альтернатива DDR4-3600 с меньшей задержкой CAS 18
4x 16 ГБ DDR4-3600 (CAS 18) 179% Совместимость с большинством X-серий (X299) и многие Gen2 Threadripper (X399) 9009 4
4x 16 ГБ DDR4-3466 (CAS 16) 164% Повышенная стабильность для Gen2 Threadripper (X399), X-Series (X299)
4x 16 ГБ DDR4-3200 (CAS 16) 114 % Работает с большинством Threadripper Gen1 / Gen2 (X399), недорогая для X-Series (X299)
4x 16 ГБ DDR4-3000 (CAS 15) 107% Устраняет проблемы стабильности некоторых Gen1 X399 платформы (альтернатива устаревшим комплектам DDR4-2933)
4x 16 ГБ DDR4-2666 (CAS 16) 100% Базовая спецификация для AMD Threadripper (X399) и Intel серии X (X299)
Двухранговый двухканальный
2x 8 ГБ DDR4-3733 (CAS 17) 215% Работает с большинством материнских плат Z390 и Z370.Поддерживается X570 / Ryzen 3000, но для повышения производительности требуется ручная настройка параметров FCLK и UCLK.
2x 8 ГБ DDR4-3600 (CAS 16) 215% Более широкая совместимость и более низкая цена для Z390 / Z370, более простая конфигурация, чем DDR4-3733 на платформах X570
2x 8GB DDR4-3600 (CAS 18 ) 154% Более выгодная цена и даже более широкая совместимость, чем DDR4-3600 C16
2x 8 ГБ DDR4-3466 (CAS 16) 200% Лучшая совместимость с материнскими платами X470 / Ryzen 2000 и Z270.Ограниченная доступность.
2x 8 ГБ DDR4-3200 (CAS 14) 200% Более высокая цена, улучшенная производительность DDR4-3200
2x 8 ГБ DDR4-3200 (CAS 16) 115% Лучшая совместимость и стоимость комплектов с высокой скоростью передачи данных
2x 8 ГБ DDR4-2933 (CAS 16) 138% Устраняет проблемы совместимости с ошибочной прошивкой некоторых материнских плат X470 / B450. Ограниченная доступность.
2x 8 ГБ DDR4-2666 (CAS 15) 123% Максимальная производительность для Core i5 и выше на материнских платах h470 / B360
2x 8GB DDR4-2400 (CAS 14) 115% Максимальная производительность для Core i3 и ниже на материнских платах h470 / B360
2x 8 ГБ DDR4-2666 (CAS 19) 100% Совместимость с Core i5 и более поздними версиями на материнских платах h470 / B360, не поддерживающих XMP
2x 8 ГБ DDR4-2400 (CAS 17) 100% Совместимость с Core i3 и ниже на материнских платах h470 / B360, которые не поддерживают XMP
Четырехканальный четырехканальный
4x 8 ГБ DDR4-3733 (CAS 17) 257% Работает с большинством Intel X299, проверьте отзывы материнских плат и выводы пользователей
4x 8 ГБ DDR4-3600 (CAS 16) 171% Альтернатива с более низкой задержкой к DDR4-3600 CAS 18
4x 8 ГБ DDR4-3600 (CAS 18) 129% Совместим с большинством X-серии (X299) и многими Threadripper Gen2 (X399)
4x 8GB DDR4-3466 (CAS 16) 257 % Поддерживается некоторыми Gen1 Threadripper и большинством Gen2 Threadripper (X399), X-Series (X299)
4x 8GB DDR4-3200 (CAS 16) 114% Работает с большинством Threadripper Gen1 / Gen2 (X399 ), доступная по цене для серии X (X299)
4x 8 ГБ DDR4-3000 (CAS 15) 107% Устраняет проблемы со стабильностью некоторых платформ Gen1 X399 (альтернатива устаревшим комплектам DDR4-2933)
4x 8 ГБ DDR4-2666 (CAS 16) 100% Базовая спецификация для AMD Threadripper (X399) и Intel серии X (X299)

БОЛЬШЕ: Лучшая память

БОЛЬШЕ: DDR DRAM: часто задаваемые вопросы и руководство по устранению неполадок

БОЛЬШЕ: все содержимое памяти 90 003 .

Как узнать, сколько памяти занимает мое приложение для Android?

Переполнение стека
  1. Около
  2. Товары
  3. Для команд
  1. Переполнение стека Общественные вопросы и ответы
  2. Переполнение стека для команд Где развиваются
.

c - gdb наблюдает за огромным объемом памяти, чтобы обнаружить повреждение, здесь нет ошибки сегмента

Переполнение стека
  1. Около
  2. Товары
  3. Для команд
  1. Переполнение стека Общественные вопросы и ответы
  2. Переполнение стека для команд Где разработчики и технологи делятся частными знаниями с коллегами
  3. Вакансии Программирование и связанные с ним технические возможности карьерного роста
.

c - Как правильно справиться с "нехваткой памяти"?

Переполнение стека
  1. Около
  2. Товары
  3. Для команд
  1. Переполнение стека Общественные вопросы и ответы
  2. Переполнение стека для команд Где разработчики и технологи делятся частными знаниями с коллегами
.

python - Matplotlib не хватает памяти при построении в цикле

Переполнение стека
  1. Около
  2. Товары
  3. Для команд
  1. Переполнение стека Общественные вопросы и ответы
  2. Переполнение стека для команд
.Сборка

- Низкоуровневое программирование: как найти данные в памяти другого запущенного процесса?

Переполнение стека
  1. Около
  2. Товары
  3. Для команд
  1. Переполнение стека Общественные вопросы и ответы
.

Смотрите также